[发明专利]高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器，其结构从下至上依次为：AlN模板层、AlxGa1-xN缓冲层、n型AlxGa1-xN层、i型AlyGa1-yN吸收层、n型AlyGa1-yN分离层、i型AlyGa1-yN倍增层、p型AlzGa1-zN层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x、y、z满足0＜z＜y＜x。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器，可明显降低APD雪崩击穿时的外加电压和暗电流，有助于提高APD雪崩倍增因子。

主权项

一种高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器，其结构从下至上依次为：AlN模板层、AlxGa1‑xN缓冲层、n型AlxGa1‑xN层、i型AlyGa1‑yN吸收层、n型AlyGa1‑yN分离层、i型AlyGa1‑yN倍增层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN层，在n型AlxGa1‑xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，其特征在于：所述x、y、z满足0＜z＜y＜x。