[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201310367268.4 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103633208A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 韩永勋;崔洛俊;吴正铎 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 发明涉及发光器件。具体地，公开了一种发光器件、发光器件封装件和照明系统。发光器件包括第一导电半导体层；在第一导电半导体层上的第二导电半导体层；以及在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，有源层包括多个阱层和多个势垒层，其中多个阱层包括第一阱层和相邻于第一阱层的第二阱层，多个势垒层包括设置在第一阱层和第二阱层之间的第一势垒层，第一势垒层包括能带隙宽于第一阱层的能带隙的多个半导体层，以及多个半导体层中的相邻于第一阱层和第二阱层的至少两层的铝含量大于其它的层的铝含量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的第二导电半导体层；以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层，所述有源层包括多个阱层和多个势垒层，其中所述多个阱层包括第一阱层和相邻于所述第一阱层的第二阱层，其中所述多个势垒层包括设置在所述第一阱层和所述第二阱层之间的第一势垒层，其中所述第一势垒层包括其能带隙宽于所述第一阱层的能带隙的多个半导体层，以及其中所述多个半导体层中的相邻于所述第一阱层和所述第二阱层的至少两层的铝含量大于其它的层的铝含量。
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