[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310367400.1 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103633145B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 南奇亨;P.赵;金容宽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：基板，包括二维布置的有源部分；器件隔离图案，沿有源部分的侧壁延伸，每个器件隔离图案包括第一和第二器件隔离图案；跨过有源部分和器件隔离图案延伸的栅图案，每个栅图案包括栅绝缘层、栅线和栅覆盖图案；以及分别在有源部分上的欧姆图案。第一器件隔离图案的顶表面可以低于第二器件隔离图案的顶表面，栅绝缘层的顶表面可以低于栅覆盖图案的顶表面，欧姆图案可以包括在第一绝缘层上的延伸部。 | ||
| 搜索关键词： | 器件隔离图案 顶表面 半导体器件 图案 栅绝缘层 栅图案 绝缘层 侧壁延伸 二维布置 延伸部 覆盖 基板 栅线 制造 跨过 延伸 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板，包括通过多个第一沟槽和多个第二沟槽限定的多个有源部分；多个器件隔离图案，在所述多个第一沟槽中并沿所述多个有源部分的侧壁延伸；多个栅图案，在所述多个第二沟槽中并跨过所述多个有源部分和所述多个器件隔离图案延伸；多个欧姆图案，分别在所述多个有源部分上；和多个金属图案，耦接到所述多个欧姆图案，其中当在平行于所述多个第一沟槽和第二沟槽的方向测量时，所述多个欧姆图案的每个具有宽度大于其下的所述多个有源部分中的相应一个有源部分的宽度的部分，其中所述多个栅图案的每个包括：栅绝缘层，覆盖所述多个第二沟槽中的相应一个第二沟槽的内表面；栅线，填充所述多个第二沟槽中的被所述栅绝缘层覆盖的相应一个第二沟槽的下部区；和栅覆盖图案，填充所述多个第二沟槽中的被所述栅绝缘层覆盖的相应一个第二沟槽的上部区，其中所述栅绝缘层的上表面在所述欧姆图案的侧部被所述欧姆图案部分地暴露。
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