[发明专利]空间飞行器用钼/铂/银层状金属基复合材料的制备工艺有效
申请号: | 201310369272.4 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN103681952A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 黄远;马芝存;何芳;王玉林 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C25D5/10;C25D5/50 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 王小静 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及到一种空间飞行器太阳电池阵互连片用钼/铂/银层状金属基复合材料的制备工艺。步骤为钼金属箔的前处理、钼金属表面电镀铂、钼/铂电镀试样退火、钼/铂层状退火试样表面电镀银和钼/铂/银电镀试样的退火、钼/铂/银层状金属基复合材料表面形貌扫描电镜观察、沿深度的俄歇能谱分析和电阻点焊拉伸强度测试。本发明使得钼/铂、铂/银界面发生扩散渗入,从而在钼/铂、铂/银界面上实现冶金结合,获得了具有高界面结合强度、高焊接拉伸强度的钼/铂/银层状金属基复合材料,其与太阳能电池片单点电阻点焊时的焊接拉伸强度为324克力(gf),超过了国家军用标准GJB2602-1996规定的焊接强度指标。 | ||
搜索关键词: | 空间 飞行 器用 层状 金属 复合材料 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种太阳电池阵互连片用钼/铂/银层状金属基复合材料的制备工艺,包括以下步骤:1)对钼金属箔进行去油、清洗、刻蚀、超声波清洗的前处理;2)采用直流电镀装置对钼金属表面电镀铂,获得钼/铂电镀试样;3)将上一步骤所获钼电镀铂试样进行第一次惰性气氛保护下退火获得了钼/铂层状退火试样;4)采用直流电镀装置对钼/铂层状退火试样表面电镀银,获得钼/铂/银电镀试样;5)将上一步骤所获钼/铂/银电镀试样进行第二次惰性气氛保护退火,最终获得了钼/铂/银层状金属基复合材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的