[发明专利]一种生长Ce：YAG单晶荧光材料的方法无效
| 申请号： | 201310369824.1 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103469306A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 曹顿华;董永军;梁月山 | 申请（专利权）人： | 昆山开威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B11/00;C30B11/14 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 高文迪 |
| 地址： | 215345 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了坩埚下降法生长Ce：YAG单晶荧光材料的方法。该晶体化学式为：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一种；B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种。晶体生长炉温范围1900～2000℃，坩埚下降方向固液界面的温度梯度为10～50℃/cm，坩埚下降速率为0.1～5mm/h，籽晶可采用<111>、<100>、<001>等方向，坩埚直径为30～120mm，高度为50～200mm。本发明采用坩埚下降法具有操作简单，成本低，生长的Ce：YAG晶体体积大、内部缺陷少、掺杂浓度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 ce yag 荧光 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种生长Ce:YAG单晶荧光材料的方法，包括以下步骤：1）将原料按照下列化学式中的摩尔比进行称量配比，混合均匀，压制成饼，高温烧结；化学式：(Y1‑x‑mAxCem)3(Al1‑yBy)5O120≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd、Sm中的一种；B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种；2）将籽晶放入坩埚底部，将坩埚放入下降炉中，放入料块，升温至1900～2000℃，恒温3～5小时；3）下降坩埚，下降速率为0.1～5mm/h，坩埚下降方向固液界面的温度梯度为10～50℃/cm；4）晶体生长完毕后，控制炉温下降，初始降温速度在0.1～3℃/h范围，由慢至快加速降温，终了降温速度为30～50℃/h，整个降温过程为50～180h；5）使炉体自然冷却至室温，取出坩埚，将晶体从坩埚中剥离。
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