[发明专利]具有嵌入式硅锗源漏区域的场效应晶体管中邻近效应的减少

摘要

本发明涉及一种集成电路以及利用嵌入式硅锗（SiGe）源/漏区域制造所述集成电路的方法，并且其中所述嵌入式硅锗（SiGe）源/漏区域中的附近浅沟道隔离结构的邻近效应被减少。嵌入式SiGe源/漏结构在每个栅电极的任意一面上，通过选择性外延到被蚀刻进半导体表面中的凹槽中形成。所述SiGe结构以所述凹槽深度的至少大约30%溢出凹槽，如从所述沟道区域与在栅电极边缘的上覆栅介电质之间的界面所测量的。这种溢出已经被观察到能够减少附近的浅沟道隔离结构对附近的晶体管的邻近效应。通过确保所述栅电极的边缘与最近浅沟道隔离结构的平行边缘之间的足够间距，可以获得邻近效应的额外减少。

主权项

一种在主体的半导表面制造集成电路的方法，其包括：在所述表面的选择位置形成浅沟道隔离结构，以限定由所述浅沟道隔离结构所环绕的所述表面的一个或更多有源区；形成上覆有源区的栅介电层；接着在所述有源区的位置形成上覆所述栅介电层的一个或更多栅电极结构；在上覆所述栅电极结构的位置形成掩膜层并使其图案化；接着蚀刻所述有源区的一部分，以形成延伸到所述表面中一个深度的凹槽；接着将硅和锗的合金沉积到所述凹槽中，所述合金在所述有源区的表面与所述栅介电层之间的界面上方在所述栅电极下面的点处延伸所述凹槽的深度的至少大约20%；以及将所沉积的合金掺杂为第一导电类型。