[发明专利]发光二极管制造方法在审
申请号: | 201310370609.3 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN104425672A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 叶辅湘;陈滨全;陈隆欣;林厚德;张超雄 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 孔丽霞 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管制造方法,包括:基座,基座包括基板、与基板接合的电极及形成于基板上的挡墙,挡墙围设形成空腔;将发光芯片安装于空腔内,使发光芯片与电极电连接;在空腔内注入覆盖发光芯片的荧光胶;固化荧光胶;切割荧光胶,使荧光胶与挡墙分离,形成独立的发光二极管。由于无需单独为分离荧光胶及挡墙设置额外的步骤,因此发光二极管的制造过程更为快捷。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管制造方法,包括:提供基座,基座包括基板、与基板接合的电极及形成于基板上的挡墙,挡墙围设形成空腔;将发光芯片安装于空腔内,使发光芯片与电极电连接;在空腔内注入覆盖发光芯片的荧光胶;固化荧光胶;切割荧光胶,使荧光胶与挡墙分离,形成独立的发光二极管。
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