[发明专利]一种蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法有效
| 申请号： | 201310370733.X | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103426802A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 杨苏圣 | 申请（专利权）人： | 上海科秉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人： | 黄美英 |
| 地址： | 201709 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法，包括以下步骤：步骤A.将零部件完全浸没在有机溶液中，利用有机溶液去除零部件的表面上的杂质；步骤B.采用喷砂机以玻璃砂为磨料对零部件的表面进行喷射，对零部件的表面进行粗糙度处理，使零部件的表面粗糙度为4～6μm；步骤C.将零部件放入酸性容液中，时间为30～50分钟，利用酸液去除零部件的表面上多余的残砂，同时利用酸液蚀刻零部件的表面，达到均匀零部件的表面粗糙度。本发明的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法可以有效延长聚焦环和屏蔽环的使用寿命，大幅降低客户对于新品采购的成本，达成实质上有效的节约。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 聚焦 屏蔽 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法，其特征在于，所述处理方法包括以下步骤：步骤A.将零部件完全浸没在有机溶液中，利用有机溶液去除零部件的表面上的杂质；步骤B.采用喷砂机以玻璃砂为磨料对零部件的表面进行喷射，对零部件的表面进行粗糙度处理，使零部件的表面粗糙度为4～6μm；步骤C.将零部件放入酸性容液中，时间为30～50分钟，利用酸液去除零部件的表面上多余的残砂，同时利用酸液蚀刻零部件的表面，达到均匀零部件的表面粗糙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
