[发明专利]硅烷法制多晶硅安全生产方法无效
| 申请号： | 201310373590.8 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103449439A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘春江;全晓宇;黄哲庆;项文雨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅烷法制多晶硅的安全生产方法，该工艺去除了传统工艺中的硅烷储罐装置，大大降低了该流程的危险性。本工艺流程主要特点是采用氯硅烷歧化法，制备高纯硅烷；而高纯硅烷不经过硅烷储罐，直接进入还原炉制备高纯多晶硅，采用旁路调节硅烷进料量，保证还原炉进料稳定；反应后的硅烷和氢气与四氯化硅利用反歧化技术重新生成三氯氢硅，在水冷下实现与氢气的分离，氢气和三氯氢硅重复利用。该工艺没有设置硅烷储罐，降低了整个流程的危险性，同时，利用反歧化法制成三氯氢硅之后再与氢气在水冷条件下分离，改变了传统工艺氢气与硅烷在液氮冷却下分离的高投资环节，降低了工艺的总投资。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 法制 多晶 安全生产 方法 | ||
【主权项】：
一种硅烷法制多晶硅的安全生产方法，其特征是是以硅和氢气为原料，经氢化反应器和三氯氢硅歧化反应制备高纯硅烷，高纯硅烷直接进入热分解炉制备高纯多晶硅；高纯硅烷采用旁路调节，保持进入多晶硅热分解炉的进料稳定；反应后的硅烷与四氯化硅利用反歧化技术重新生成三氯氢硅，分离后氢气和三氯氢硅重复利用。
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