[发明专利]反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法

摘要

本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，该制造方法采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。

主权项

一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管制造方法包括如下步骤：制备N型衬底；在所述N型衬底正面生长栅氧化层；在所述栅氧化层上淀积多晶硅栅电极；通过光刻、刻蚀和离子注入工艺在N型衬底上形成P阱；通过光刻和离子注入工艺在P阱内形成N+区和正面P+区；在所述N型衬底正面淀积介质层；在所述介质层上淀积保护层；通过背面减薄工艺减薄所述N型衬底；在所述N型衬底的背面注入P型杂质形成背面P+区域；采用光刻、刻蚀工艺在所述N型衬底的背面形成沟槽；在所述N型衬底的背面淀积多晶硅填充所述沟槽，并蚀刻掉沟槽之外区域的多晶硅；去除N型衬底正面的保护层；选择性刻蚀介质层形成短接N+区和正面P+区的接触孔，并形成正面金属层；在所述N型衬底正面淀积钝化层；在所述N型衬底背面进行背面金属化工艺，形成背面金属层；其中，所述采用光刻、刻蚀工艺在所述N型衬底的背面形成沟槽的步骤和所述在所述N型衬底的背面淀积多晶硅填充所述沟槽，并蚀刻掉沟槽之外区域的多晶硅的步骤，在所述介质层上淀积保护层的步骤之后进行制作，且在所述选择性刻蚀介质层形成短接N+区和正面P+区的接触孔，并形成正面金属层的步骤之前进行制作。