[发明专利]在VHF频率调谐径向蚀刻的非均匀性的电子旋钮

摘要

发明涉及在VHF频率调谐径向蚀刻的非均匀性的电子旋钮。用于晶片的等离子体处理的系统和方法包括有具有支撑表面和限定在其上的外边缘区域的电极的室。射频功率通过导电性传送连接件被传输到所述电极并通过导电性返回连接件返回。施加电容到第一端，导致在所述导电性传送连接件的第二端的合适的电容调节以及相反的阻抗调节，所述第二端耦合到环绕所述电极的电介质环绕结构。所述电介质环绕结构在所述电极的外边缘附近呈现相反的阻抗调节，以便使在所述第一端增加所述电容导致在所述第二端的阻抗的相应增加，以及在所述电极的所述外边缘区域附近的电压分布的相应增加，该电压分布朝着所述电极的所述支撑表面的中心减少。

主权项

一种用于处理晶片的方法，其包括：提供具有电极的室，所述电极具有支撑表面和限定在其中的外边缘区域，所述室被定义用于所述晶片的等离子体处理；施加射频（RF）功率至所述室的所述电极，所施加的所述RF功率通过导电性传送连接件和导电性返回连接件与所述电极连通，所述导电性传送连接件具有提供有效电气长度的尺寸，所述有效电气长度导致在工作频率下的阻抗变换；为所述导电性传送连接件的第一端设置电容，所述电容是能够调节的以在所述导电性传送连接件的第二端导致相反的阻抗调节，所述第二端被耦合到环绕所述电极的电介质环绕结构，所述电介质环绕结构在所述电极的所述外边缘区域附近呈现所述相反的阻抗调节，以便使在所述第一端增加所述电容导致在所述第二端的阻抗的相应增加，在所述第二端的所述阻抗的所述增加增加所述电极的所述外边缘区域附近的电压分布，该电压分布朝着所述电极的所述支撑表面的中心减少。