[发明专利]一种用于电子器件封装的硅基转接板结构

摘要

本发明涉及一种用于电子器件封装的硅基转接板结构，属于半导体封装技术领域。其在基体（110）内设置通孔（111）和与通孔（111）连接的基体底部开口（112），通孔（111）呈倒梯形，基体底部开口（112）不小于通孔（111）底部的尺寸，通孔（111）的内壁设置绝缘层Ⅰ（210）和金属层Ⅰ（310），基体（110）的上方设置若干层金属层III（330）和保护层Ⅰ（510）；基体底部开口（112）内设置绝缘层II（220）和金属层II（320），金属层II（320）与金属层Ⅰ（310）实现电气连通，所述金属层II（320）的表面设置保护层II（520）。本发明可极大程度的降低工艺难度和工艺成本，具备规模化生产能力，并且可实现转接板的高密度技术，有利于应用该硅基转接板结构的电子器件的推广。

主权项

一种用于电子器件封装的硅基转接板结构，包括基体（110），其特征在于：所述基体（110）内设置通孔（111）和与通孔（111）连接的基体底部开口（112），所述通孔（111）呈倒梯形，所述基体底部开口（112）的开口尺寸不小于通孔（111）底部的尺寸，所述通孔（111）的内壁沉积绝缘层Ⅰ（210），所述绝缘层Ⅰ（210）向上延伸并覆盖基体（110）的上表面，所述绝缘层Ⅰ（210）的表面设置金属层Ⅰ（310），所述金属层Ⅰ（310）于通孔（111）的底部相连接，所述金属层Ⅰ（310）于通孔（111）内形成盲孔Ⅰ（311）， 所述基体（110）的上方设置若干层金属层III（330），不同的所述金属层III（330）之间设置不同的介电层（400）和介电层开口（401），所述介电层（400）填充盲孔Ⅰ（311），不同的所述金属层III（330）通过介电层开口（401）连接，最底层的所述金属层III（330）与金属层Ⅰ（310）连接，最顶层的所述金属层III（330）的周围覆盖保护层Ⅰ（510），所述保护层Ⅰ（510）于金属层III（330）的表面形成保护层Ⅰ开口（511），所述基体底部开口（112）内沉积绝缘层II（220）并形成绝缘层II开口（221），所述绝缘层II（220）与绝缘层Ⅰ（210）于通孔（111）的底部相连接、且沿基体底部开口（112）向下延伸并覆盖基体（110）的下表面，所述绝缘层II（220）表面设置金属层II（320），所述金属层II（320）覆盖绝缘层II开口（221）、并与金属层Ⅰ（310）于通孔（111）的底部实现电气连通，所述金属层II（320）于基体底部开口（112）内形成盲孔II（321），所述金属层II（320）的表面设置保护层II（520），并形成保护层II开口（521），所述保护层II（520）填充盲孔II321。