[发明专利]一种制备润湿性可控的高光滑高硬TiN薄膜的方法有效
| 申请号： | 201310375485.8 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103469168A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 柯培玲;王振玉;张栋;汪爱英;谢仕芳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 单英 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制备润湿性可控的高光滑高硬TiN薄膜的方法，该方法采用高功率脉冲磁控溅射技术，将清洗烘干后的基体放入腔体中，抽真空后向腔体内通入惰性气体与氮气，开启高功率脉冲磁控溅射源，在基体表面沉积TiN薄膜；通过调节基底脉冲负偏压，改变TiN薄膜的表面微结构，从而制备出润湿性可控的TiN薄膜。实验证实，该方法简单易行，不仅能够得到高光滑度、高硬度的TiN薄膜，而且通过对基体脉冲负偏压的简单调控就能实现对TiN薄膜润湿性的调控，因此是一种制备高性能TiN薄膜的理想方法，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 润湿 可控 光滑 tin 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备润湿性可控的高光滑高硬TiN薄膜的方法，其特征是：采用HIPIMS技术，将清洗烘干后的基体放入腔体中，抽真空后向腔体内通入惰性气体与氮气，开启高功率脉冲磁控溅射源，在基体表面沉积TiN薄膜；通过调节基底脉冲负偏压，改变TiN薄膜的表面微结构，从而制备出润湿性可控的TiN薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所，未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310375485.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
