[发明专利]一种纳米级羟基氧化钴合成工艺

摘要

本发明涉及一种纳米级羟基氧化钴合成工艺，属于二次电池技术领域。具体经过溶液配比、合成、沉化和后处理得到产品纳米级羟基氧化钴。本发明与现有技术相比，可应用于镍氢电池生产中，在正极材料中可完全替代氧化亚钴，氢氧化钴，不但可降低生产成本，提高产品质量的稳定性，利用率，而且在循环寿命、低温放电等方面更具有优势，将带来我国镍氢电池生产工艺提升的一场新的变革。

主权项

一种纳米级羟基氧化钴合成工艺，其特征是具体步骤如下：（1）溶液配比：取钴盐溶液，用去离子水稀释到0.2~0.5mol/L；取氢氧化钠用去离子水配成2~2.5mol/L浓度的氢氧化钠溶液备用；（2）合成：按步骤（1）所配置的钴盐溶液︰氨水体积比为4~8:1泵入反应釜内，氨水浓度为1.5~2mol/L，控制温度在‑10~100℃之间，搅拌均匀，搅拌速度为90~120r/min；每100L氨水加入强抗氧化剂1~3kg后，立即用泵快速将步骤（1）所得氢氧化钠溶液打入反应釜，钴盐溶液与氢氧化钠溶液体积比为1︰1~2；控制pH为12~12.5，温度25~50℃反应0.2~0.5h；反应完毕后保持50~80℃沉化1~2h；（3）沉化：待氢氧化钴由γ型完全转变成β后；继续打入氢氧化钠控制pH值在13.5~14，然后在2~3h内将配好的有效氯浓度为6%的次氯酸钠按氢氧化钴与次氯酸钠体积比为1：0.7~1.0合成，温度保持80~90℃沉化6~8h；（4）后处理：取步骤（3）所得反应物用去离子水在离心机中清洗至pH为中性，离心机速度为2500~3500r/min，85~100℃烘干并用粉碎机粉碎，即得到产品纳米级羟基氧化钴。