[发明专利]半导体发光元件

摘要

本发明提供一种抑制了发光面上的发光的不均匀的半导体发光元件。依次层叠有n型半导体层、发光层、p型半导体层，并且在p型半导体层上层叠有透光性电极膜（170），在透光性电极膜（170）上设置有p电极（190）。另一方面，在使n型半导体层露出的半导体层露出面（140c1）上设置有n电极（200）。p电极（190）具有平面形状为圆形的连接部（190a）、和从连接部（190a）呈胡须状地延伸并以围绕n电极（200）的方式相对的延伸部（190b）。设在透光性电极膜（170）上的孔（180），被设置为其密度随着从n电极（200）侧趋向p电极（190）侧变低。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，具备：具有第1导电类型的III‑V族半导体的第1半导体层；与该第1半导体层接触地设置在所述第1半导体层上，通过通电而发光的III‑V族半导体的发光层；与该发光层接触地设置在所述发光层上，具有与所述第1导电类型相反的第2导电类型的III‑V族半导体的第2半导体层；与该第2半导体层接触地设置在所述第2半导体层上，相对于所述发光层射出的光具有透过性的透光性电极膜；与该透光性电极膜接触地设置在所述透光性电极膜上的一部分上，成为用于向所述发光层通电的一方端子的第1电极；和与所述第1半导体层连接，并且与所述第1电极设在同一面侧，成为用于向所述发光层通电的另一方端子的第2电极，所述第1电极和所述第2电极的任一方，在所述发光层的平面形状中位于中央部，所述第1电极和所述第2电极的另一方具备：被从外部施加电压的连接部；和从该连接部延伸，以与该第1电极和该第2电极的任一方的外周的至少一部分相对的方式设置，并设定为该电压的延伸部，所述透光性电极膜，从所述第1电极朝向所述第2电极被划分为连续的多个区域，该多个区域的各区域中的面方向的电阻，以从与该第1电极相邻的区域朝向与该第2电极相邻的区域依次变大的方式设定。