[发明专利]功率用半导体元件无效
申请号: | 201310375789.4 | 申请日: | 2013-08-26 |
公开(公告)号: | CN103681826A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 中村和敏;小仓常雄;二宫英彰 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/06 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;房永峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供具备第1~第4半导体层及第1~第5电极的功率用半导体元件。第1电极具有第一面和第二面。第1半导体层设在第一面侧。第2半导体层设在第1半导体层之上,与第1半导体层相比杂质浓度高。第3半导体层设在第2半导体层之上。第4半导体层设在第3半导体层之上。第2电极与第4半导体层电连接。第3电极隔着绝缘膜设于第2及第3半导体层,上端位于第3半导体层,沿第1、第2半导体层的层叠方向延伸。第4电极隔着绝缘膜设于第2及第3半导体层,上端位于第3半导体层,沿层叠方向延伸,与第3电极并列。第5电极隔着绝缘膜而设在第3、第4电极之间,上端位于第3半导体层,沿第1、第2半导体层的层叠方向延伸,与第2电极电连接。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体 元件 | ||
【主权项】:
一种功率用半导体元件,具备:第1电极,具有第一面和第二面;第1导电型的第1半导体层,设在上述第1电极的上述第一面侧;第1导电型的第2半导体层,设在上述第1半导体层之上,上述第2半导体层的杂质浓度高于上述第1半导体层的杂质浓度;第2导电型的第3半导体层,设在上述第2半导体层之上;第1导电型的第4半导体层,设在上述第3半导体层之上;第2电极,与上述第4半导体层电连接;第3电极,隔着绝缘膜设于上述第2半导体层及上述第3半导体层,上述第3电极具有位于上述第3半导体层的上端,沿上述第1半导体层与上述第2半导体层的层叠方向延伸;第4电极,隔着绝缘膜设于上述第2半导体层及上述第3半导体层,上述第4电极具有位于上述第3半导体层的上端,沿上述层叠方向延伸,与上述第3电极并列;以及第5电极,隔着绝缘膜设在上述第3电极与上述第4电极之间,上述第5电极具有位于上述第3半导体层的上端,沿上述层叠方向延伸,与上述第2电极电连接。
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