[发明专利]功率用半导体元件无效

专利信息
申请号: 201310375789.4 申请日: 2013-08-26
公开(公告)号: CN103681826A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 中村和敏;小仓常雄;二宫英彰 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L29/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 杨谦;房永峰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供具备第1~第4半导体层及第1~第5电极的功率用半导体元件。第1电极具有第一面和第二面。第1半导体层设在第一面侧。第2半导体层设在第1半导体层之上,与第1半导体层相比杂质浓度高。第3半导体层设在第2半导体层之上。第4半导体层设在第3半导体层之上。第2电极与第4半导体层电连接。第3电极隔着绝缘膜设于第2及第3半导体层,上端位于第3半导体层,沿第1、第2半导体层的层叠方向延伸。第4电极隔着绝缘膜设于第2及第3半导体层,上端位于第3半导体层,沿层叠方向延伸,与第3电极并列。第5电极隔着绝缘膜而设在第3、第4电极之间,上端位于第3半导体层,沿第1、第2半导体层的层叠方向延伸,与第2电极电连接。
搜索关键词: 功率 半导体 元件
【主权项】:
一种功率用半导体元件,具备:第1电极,具有第一面和第二面;第1导电型的第1半导体层,设在上述第1电极的上述第一面侧;第1导电型的第2半导体层,设在上述第1半导体层之上,上述第2半导体层的杂质浓度高于上述第1半导体层的杂质浓度;第2导电型的第3半导体层,设在上述第2半导体层之上;第1导电型的第4半导体层,设在上述第3半导体层之上;第2电极,与上述第4半导体层电连接;第3电极,隔着绝缘膜设于上述第2半导体层及上述第3半导体层,上述第3电极具有位于上述第3半导体层的上端,沿上述第1半导体层与上述第2半导体层的层叠方向延伸;第4电极,隔着绝缘膜设于上述第2半导体层及上述第3半导体层,上述第4电极具有位于上述第3半导体层的上端,沿上述层叠方向延伸,与上述第3电极并列;以及第5电极,隔着绝缘膜设在上述第3电极与上述第4电极之间,上述第5电极具有位于上述第3半导体层的上端,沿上述层叠方向延伸,与上述第2电极电连接。
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