[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310377499.3 申请日: 2013-08-27
公开(公告)号: CN103681628A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 归山隼一 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/58 分类号: H01L23/58;H01L23/62;G01R31/12;G01R31/14
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 欧阳帆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种半导体装置,该半导体装置包括AC耦合元件以及输出温度监视信号的温度监视单元,该温度监视单元具有输出温度监视信号的第一温度监视元件,并且第一温度监视元件被布置在AC耦合元件的正下方区域或者与AC耦合元件相邻的区域中。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:在半导体衬底上形成的AC耦合元件;以及温度监视单元,响应于半导体衬底的温度的变化来输出温度监视信号,其中温度监视单元包括输出温度监视信号的第一温度监视元件,以及其中第一温度监视元件被布置在AC耦合元件的正下方的区域或者与AC耦合元件相邻的区域中。
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