[发明专利]蚀刻方法有效
申请号: | 201310377578.4 | 申请日: | 2013-08-26 |
公开(公告)号: | CN104419929B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 郭钟宁;唐勇军;黄红光 | 申请(专利权)人: | 广州三星通信技术研究有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | C23F1/02 | 分类号: | C23F1/02;C23F1/16 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 张云珠,李云霞 |
地址: | 510663 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种蚀刻方法。所述蚀刻方法包括下述步骤在工件的表面的预定部分上涂覆耐腐蚀胶,对工件的涂覆耐腐蚀胶后的所述表面进行掩膜处理;对掩膜处理后的工件用第一蚀刻液进行喷淋蚀刻,以在工作的所述表面上形成初始凹凸结构;对蚀刻后的工件进行脱膜处理,以去除工件表面的掩膜;将脱膜处理后的工件放到第二蚀刻液中浸泡,以去除连续的初始凸凹结构的棱边和减小将要形成的微结构的蚀刻深度;将浸泡后的工件用水冲洗、干燥然后抛光,从而在工件的所述表面上形成平滑过渡的微结构。根据本发明的蚀刻方法,可以得到表面美观且具有良好的防滑效果和保洁效果的产品。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】:
一种蚀刻方法,其特征在于所述蚀刻方法包括下述步骤:在工件的表面的预定部分上涂覆耐腐蚀胶,对工件的涂覆耐腐蚀胶后的所述表面进行掩膜处理;对掩膜处理后的工件用第一蚀刻液进行喷淋蚀刻,以在工作的所述表面上形成初始凹凸结构;对蚀刻后的工件进行脱膜处理,以去除工件表面的掩膜;将脱膜处理后的工件放到第二蚀刻液中浸泡,以去除连续的初始凸凹结构的棱边和减小将要形成的微结构的蚀刻深度;以及将浸泡后的工件用水冲洗、干燥然后抛光,从而在工件的所述表面上形成微结构,其中,对掩膜处理后的工件进行喷淋蚀刻的步骤包括:控制蚀刻液按预定的时间间隔以逐渐减小的蚀刻压力对工件的表面进行蚀刻,其中,所述第一蚀刻液与所述第二蚀刻液相同,并且均由以重量计的下述组分配制而成:15%‑25%的三氯化铁,30%‑50%的氢氟酸或20%‑40%的硝酸,2%‑5%的磷酸,其余为水。
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