[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201310378765.4 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103715248A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 中村哲一;山田敦史;石黑哲郎;小谷淳二;今西健治 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层和第四半导体层；形成在第三半导体层上的栅电极；以及形成在第四半导体层上并接触第四半导体层的源电极和漏电极，其中第三半导体层在栅电极正下方的区域上由用于实现p型的半导体材料形成，并且第四半导体层中的硅的浓度高于第二半导体层中的硅的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：形成在衬底上的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的第二半导体层；形成在所述第二半导体层上的第三半导体层和第四半导体层；形成在所述第三半导体层上的栅电极；和形成在所述第四半导体层上并接触所述第四半导体层的源电极和漏电极，其中所述第三半导体层由用于实现p型的半导体材料形成在所述栅电极正下方的区域上，并且在所述第四半导体层中的硅的浓度高于在所述第二半导体层中的硅的浓度。
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