[发明专利]在光刻装置中交换晶片的方法在审
| 申请号： | 201310378980.4 | 申请日： | 2008-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103456670A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 吉多·德布尔;米歇尔·彼得·丹斯贝格;彼得·克勒伊特 | 申请（专利权）人： | 迈普尔平版印刷IP有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;B82Y10/00;B82Y40/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 荷兰代*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及在光刻装置中交换晶片（1）的方法。所述光刻装置具有在真空下操作的条件，所述方法包括：将所述晶片（1）放置在晶片工作台（8）上的步骤，将所述晶片工作台（8）和所述晶片（1）插入所述光刻装置的后续步骤（IT），处理所述晶片（1）的步骤（PW），从所述光刻装置移除所述晶片工作台（8）和所述晶片（1）的步骤（RT），将所述晶片（1）从所述晶片工作台（8）上分离的步骤（DW），以及为了在所述光刻装置内交换所述晶片（1）的目的，将所述晶片工作台（8）与另一个晶片工作台进行交换的步骤，以及处理所述光刻装置外侧的所述晶片工作台（8）的步骤，其中，在该处理中，所述晶片工作台（8）的温度是可调节的。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 装置 交换 晶片 方法 | ||
【主权项】：
在光刻装置中交换晶片（1）的方法，其中，所述光刻装置具有在真空下操作的条件，所述方法包括：将所述晶片（1）放置在晶片工作台（8）上的步骤，将所述晶片工作台（8）和所述晶片（1）插入所述光刻装置的后续步骤（IT），处理所述晶片（1）的步骤（PW），从所述光刻装置移除所述晶片工作台（8）和所述晶片（1）的步骤（RT），将所述晶片（1）从所述晶片工作台（8）上分离的步骤（DW），以及为了在所述光刻装置内交换所述晶片（1）的目的，将所述晶片工作台（8）与另一个晶片工作台进行交换的步骤，以及处理所述光刻装置外侧的所述晶片工作台（8）的步骤，其中，在该处理中，所述晶片工作台（8）的温度是可调节的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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