[发明专利]包括金属-硅-氮化物图案的半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线，其中，第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触，以及配置为在金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：横过所述器件的场隔离区和横过所述器件的有源区的第一导电线，该第一导电线包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在所述第一导电图案和所述第二导电图案之间的金属硅氮化物图案，该金属硅氮化物图案配置为在该金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触以及配置为在该金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障，其中所述金属硅氮化物图案的第一部分的硅浓度大于所述金属硅氮化物图案的第二部分的硅浓度，所述第一部分邻近所述下界面并且所述第二部分邻近所述上界面。