[发明专利]一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法无效
申请号: | 201310379478.5 | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN103820759A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 彭寿;葛承全;张超群;井治;张仰平;李险峰 | 申请(专利权)人: | 中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 上海三方专利事务所 31127 | 代理人: | 吴干权;单大义 |
地址: | 200063 上海市普*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及磁控溅射镀膜生产设备技术领域,具体来说是一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法,其特征在于靶材经过两次安装,两次溅射,具体方法为:当靶材第一次安装后,经过溅射,刻蚀区域位于靶材的一侧;然后将靶材水平旋转180°再重新安装在阴极上,进行第二次溅射,两次的刻蚀区域恰好连接成一个较大的刻蚀区域。本发明同现有技术相比,将靶材第一次安装后,经过溅射,刻蚀区域位于靶材的一侧,然后将靶材水平旋转180°再重新安装在阴极上,进行第二次溅射,使两次的刻蚀区域恰好连接成一个较大的刻蚀区域,另外,在阴极座外部两侧设有截面为L形的屏蔽罩,屏蔽了靶材上50%以上的区域,提高了靶材的利用率,降低成本。 | ||
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【主权项】:
一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法,所述的矩形平面磁控溅射阴极包括中靶材压条(1)、中压条(2)、边靶材压条(3)、边压条(4)、背板(5)、冷却板(6)、阴极座(7)、支撑块(8)、磁轭(9)、中立柱(10)、中磁铁(11)、中磁靴(12)、边磁铁(13)、边磁靴(14)和靶材(15),其特征在于靶材经过两次安装,两次溅射,具体方法为:当靶材第一次安装后,经过溅射,刻蚀区域位于靶材的一侧;然后将靶材水平旋转180°再重新安装在阴极上,进行第二次溅射,两次的刻蚀区域恰好连接成一个较大的刻蚀区域,提高靶材的利用率。
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