[发明专利]萝卜硫素制剂及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201310379840.9 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103989631A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 张国庆;钟延强;周闺臣;王新霞;王东;孙治国;鲁莹;张翮;邹豪;俞媛;陈琰;刘俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军第二军医大学 |
| 主分类号： | A61K9/10 | 分类号： | A61K9/10;A61K31/26;A61K47/04;A61P35/00 |
| 代理公司： | 上海序伦律师事务所 31276 | 代理人： | 周东萍 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种萝卜硫素制剂，该制剂包含：萝卜硫素、介孔二氧化硅、脂质膜，其中，介孔二氧化硅表面具有纳米级孔洞，该孔洞中载有萝卜硫素，所述脂质膜包覆在该载有萝卜硫素的介孔二氧化硅纳米粒表面。本发明还公开了该萝卜硫素制剂的制备方法和应用。本发明的萝卜硫素制剂，对于癌症治疗具有积极作用，它不仅可以显著提高萝卜硫素的稳定性，而且具有缓释和靶向双重作用，维持较长的血液循环时间及必需的血药浓度，同时可以识别癌症组织或细胞，并且还可以通过细胞的内吞作用实现细胞内给药，应用前景非常广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 萝卜 制剂 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种萝卜硫素制剂，其特征在于，该制剂包含：萝卜硫素、介孔二氧化硅、脂质膜，所述介孔二氧化硅表面具有纳米级孔洞，该孔洞中载有萝卜硫素，所述脂质膜包覆在该载有萝卜硫素的介孔二氧化硅纳米粒表面。
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