[发明专利]全彩发光二极管模组的制备方法无效
申请号: | 201310379858.9 | 申请日: | 2013-08-28 |
公开(公告)号: | CN103441101A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 薛斌;卢鹏志;谢海忠;于飞;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;G09G3/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种全彩发光二极管模组的制备方法,包括以下步骤:取一外延片;在外延片上制备发光二极管阵列;在制备有发光二极管阵列的外延片上进行减薄划裂,得到发光二极管单元;取一基板,基板的一面制备有导电通孔、金属焊点和导电通道,基板的另一面制备有与导电通孔连接的金属电极,将电路导入基板的背面;将每个发光二极管的电极与基板上对应的金属焊点连接,将发光二极管单元固定在基板上,并且使发光二极管单元中的生长衬底朝上;利用激光剥离或化学腐蚀将发光二极管单元的生长衬底剥离,在剥离后的发光二极管单元的表面涂覆荧光粉;将基板划裂切割开来,形成发光二极管模组,完成全彩发光二极管模组的制备。本方法具有简化工艺路径,降低工艺成本。可以对发光二极管模组进行精确控制。 | ||
搜索关键词: | 全彩 发光二极管 模组 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种全彩发光二极管模组的制备方法,包括以下步骤: 步骤1:取一外延片; 步骤2:在外延片上制备发光二极管阵列; 步骤3:在制备有发光二极管阵列的外延片上进行减薄划裂,得到发光二极管单元; 步骤4:取一基板,基板的一面制备有导电通孔、金属焊点和导电通道,基板的另一面制备有与导电通孔连接的金属电极,将电路导入基板的背面; 步骤5:将每个发光二极管的电极与基板上对应的金属焊点连接,将发光二极管单元固定在基板上,并且使发光二极管单元中的生长衬底朝上; 步骤6:利用激光剥离或化学腐蚀将发光二极管单元的生长衬底剥离,在剥离后的发光二极管单元的表面涂覆荧光粉; 步骤7:将基板划裂切割开来,形成发光二极管模组,完成全彩发光二极管模组的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造