[发明专利]微型正交激励磁通门传感器无效
申请号: | 201310380162.8 | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN103439674A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 刘诗斌;郭博 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | G01R33/04 | 分类号: | G01R33/04 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种微型正交激励磁通门传感器,用于解决现有磁通门传感器灵敏度低的技术问题。技术方案是采用正交激励工作模式,具有呈S型排列的多组激励线和铁芯,具有分段铁芯结构,具有与铁芯紧密耦合的三维螺线管结构感应线圈,三维螺线管线圈的上下层之间的连通部分由多个连接导体组成。由于S型排列的多组激励线和铁芯增加了铁芯截面积,且不增加激励电流,解决了铁芯截面积过小的问题;采用三维螺线管保证了感应线圈与铁芯的紧密耦合,分段铁芯保证了增大线性测量范围而不会因为次级线圈匝数的减小而导致灵敏度大幅下降,提高了灵敏度;S型排列的多组激励线增加了传感器输入阻抗,提高了传感器工作电压,降低消耗在驱动电路上的无用功耗。 | ||
搜索关键词: | 微型 正交 激励 磁通门 传感器 | ||
【主权项】:
一种微型正交激励磁通门传感器,其特征在于包括衬底(1)、激励线(2)、铁芯(3)、感应线圈(4)、绝缘层(5)、激励线焊盘(6)和感应线圈焊盘(7);所述衬底(1)是带有SiO2绝缘层(5)的Si衬底(1),衬底(1)上S型排列着四根或二十根激励线(2)和分为一段或十段的铁芯(3)作为中间层,中间层被与之垂直的感应线圈(4)包围,感应线圈(4)与铁芯(3)之间由聚酰亚胺作为绝缘层(5);衬底(1)用于为整个结构提供支撑;激励线(2)采用平行排列的多组Cu导线组成,这些平行导线在两边线端处通过与它们垂直的导线串行连接形成S型;激励线(2)和感应线圈(4)分别连接到位于衬底(1)上的激励线焊盘(6)和感应线圈焊盘(7)上;三维螺线管上下层通过通孔(8)连接,其两端分别连接到位于衬底(1)上的感应线圈焊盘(7)上,用于引线。
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