[发明专利]一种偏晶向重掺单晶的拉制方法有效

专利信息
申请号: 201310381232.1 申请日: 2013-08-27
公开(公告)号: CN103436953A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 陈澄;张雪囡;张长旭;朱鹏浩;张磊;刘一波;李亚哲 申请(专利权)人: 天津市环欧半导体材料技术有限公司
主分类号: C30B15/36 分类号: C30B15/36;C30B29/06
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人: 李莉华
地址: 300384 天津市滨海新区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供一种偏晶向重掺单晶的拉制方法,包括装料、装入偏晶向籽晶、抽空、化料、掺杂、稳温、引晶、扩肩、转肩、等径和收尾等过程,上述拉制方法使用偏晶向籽晶拉制单晶。本发明利用简单的方法有效降低了重掺单晶的RRV,改善重掺单晶的径向电阻率均匀性。
搜索关键词: 一种 重掺单晶 拉制 方法
【主权项】:
一种偏晶向重掺单晶的拉制方法,其特征在于:使用偏晶向籽晶拉制重掺单晶。
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