[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 201310381656.8 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103682001A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及第III族氮化物半导体发光器件。具体而言，本发明提供一种呈现出改进的发光效率的第III族氮化物半导体发光器件。发光层具有MQW结构，在MQW结构中重复沉积有多个层单元，每个层单元包括依次沉积的阱层、盖层和势垒层。阱层由InGaN形成，盖层具有在阱层上按以下顺序沉积的GaN层和AlGaN层的结构，以及势垒层由AlGaN形成。AlGaN层的Al组成比高于势垒层的Al组成比。当发光层沿厚度方向划分为n型覆层侧的前部和p型覆层侧的后部时，在前部中的AlGaN层的Al组成比低于在后部中的AlGaN层的Al组成比。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种在n型覆层和p型覆层之间具有发光层的第III族氮化物半导体发光器件，所述发光层具有MQW结构，其中：所述发光层具有其中重复沉积有多个层单元的结构，每个层单元包括依次沉积的阱层和势垒层，所述势垒层的带隙大于所述阱层的带隙；在所述阱层和所述势垒层之间形成有AlGaN层，所述AlGaN层的Al组成比大于所述势垒层的Al组成比；以及所述发光层包括在所述n型覆层侧的前部和在所述p型覆层侧的后部这两个部分，其中在所述前部中所述AlGaN层的平均Al组成比低于在所述后部中所述AlGaN层的平均Al组成比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田合成株式会社，未经丰田合成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310381656.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液体的电加热容器
- 下一篇：一种采用干氧氧化法制备局域背场钝化电池的方法
