[发明专利]金属积层陶瓷基板的分断方法及沟槽加工用工具在审
| 申请号： | 201310381702.4 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103681295A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 武田真和;村上健二;田村健太 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B28D5/00;H05K3/46 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本大阪府*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种金属积层陶瓷基板的分断方法及沟槽加工用工具，用于将在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板分断。该分断方法包括：对积层陶瓷基板(10)的金属膜(12)使用图案化工具沿着刻划预定线进行沟槽加工；自陶瓷基板(11)的面或自金属膜(12)侧的沟槽(12a)，借由刻划装置于陶瓷基板(11)形成划线；自陶瓷基板(11)侧的面沿着划线进行折断。借由此方法，可将积层陶瓷基板(10)完全分断。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 陶瓷 方法 沟槽 工用 工具 | ||
【主权项】：
一种积层陶瓷基板的分断方法，其是在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板的分断方法，其特征在于该分断方法包括：沿着上述积层陶瓷基板的刻划预定线利用图案化工具对金属膜进行沟槽加工；沿着已去除上述金属膜的沟槽自上述陶瓷基板的面进行刻划；及使上述积层陶瓷基板与划线一致而进行折断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
