[发明专利]一种在LTCC基板上制备垂直空腔的方法

摘要

本发明公开了一种能够提高垂直空腔的质量并改善垂直空腔性能的在LTCC基板上制备垂直空腔的方法。该方法先选取膜片A、薄膜B、膜片C；然后将薄膜B裁切成薄膜D；在膜片C上裁切并去掉与薄膜D长宽一致的部分；接着选取一定数量的膜片A逐一叠层，并在叠层的过程中放入膜片C以及薄膜D；将叠层后的多层膜片压成致密的巴块；采用切割刀对巴块进行切割，切割完成后将多余的切块和薄膜D去除形成所需的垂直空腔。该方法是先将叠层后的多层膜片压成致密的巴块后切割形成垂直空腔的方式，该方式既能大大提高垂直空腔的质量，同时又能避免在烧制过程中引入杂质和污染的问题，改善了垂直空腔的性能，适合在LTCC陶瓷基板技术领域推广应用。

主权项

一种在LTCC基板上制备垂直空腔的方法，其特征在于包括以下步骤：A、选用通过干法流延方式制备出的生瓷带，记为膜片A；选用一张流延时用于承载生瓷带的载膜薄膜，记为薄膜B；选用一张厚度与薄膜B一致的生瓷带，记为膜片C；B、将薄膜B裁切成与所需制备的垂直空腔的长宽相同的图形，裁剪后的薄膜记为薄膜D；在膜片C上裁切并去掉与薄膜D长宽一致的部分，该去掉的部分在膜片C中的位置与所需制备的垂直空腔在膜片C中的位置相同；C、选取一定数量的膜片A逐一叠层，叠至第n‑1层时，选取经过步骤B处理后得到的膜片C叠层，并将薄膜D放置在膜片C中的空位处，然后继续选取一定数量的膜片A逐一叠层，直至叠到所需厚度为止；D、将叠层后的多层膜片压成致密的巴块；E、采用预设有突出刀口的切割刀对步骤D形成的巴块进行切割，切割完成后将多余的切块和薄膜D去除形成所需的垂直空腔；F、将经过步骤E处理的巴块放入排胶炉、烧结炉中进行排胶和烧结，形成大小相同、致密均匀的多层成瓷基板。