[发明专利]降低写失败的存储器件、包括该存储器件的系统及其方法在审

专利信息
申请号: 201310384656.3 申请日: 2013-08-29
公开(公告)号: CN103680594A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 孙钟弼;朴哲佑;柳鹤洙;黄泓善 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 存储器系统包括存储器件和存储器控制器。存储器件包括多个存储单元。存储器控制器被配置为在激活命令和预充电命令之间在存储器件上连续地执行多个写命令。在存储器系统中,当在执行具有所述多个写命令当中的最后的写命令的第一写操作之后并且然后发出所述预充电命令时,在所述预充电命令之后发出用于第二写操作的所述最后的写命令。第一写操作和第二写操作将相同的数据集写到所述多个存储单元当中具有相同地址的存储单元。
搜索关键词: 降低 失败 存储 器件 包括 系统 及其 方法
【主权项】:
一种存储器系统,包括:存储器件,其包括多个存储单元;以及存储器控制器,其被配置为在所述存储器件上执行多个写命令,其中,所述存储器件执行与所述多个写命令当中的最后的写命令对应的第一写操作,执行预充电操作,并且然后执行与所述最后的写命令对应的第二写操作,而且其中,所述第一写操作和所述第二写操作将相同的数据集写到所述多个存储单元当中具有相同地址的存储单元。
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