[发明专利]记忆体元件、记忆体阵列与其操作方法

摘要

本发明揭露一种记忆体元件、记忆体阵列与其操作方法。记忆体元件包含具有第一导电型的基板、具有第二导电型的第一掺杂区、具有第二导电型的第二掺杂区、第一浮置栅极、第二浮置栅极与字符栅极。第一与第二掺杂区位于基板中。第一浮置栅极位于基板上方，且电性耦接第一掺杂区。第二浮置栅极位于基板上方，且电性耦接第二掺杂区。字符栅极位于基板的上方与第一与第二掺杂区之间，其中字符栅极包含延伸至第一浮置栅极上方的第一部件与延伸至第二浮置栅极上方的第二部件。

主权项

一种记忆体元件，其特征在于，包含：一具有第一导电型的基板；一具有第二导电型的第一掺杂区，位于该基板中；一具有第二导电型的第二掺杂区，位于该基板中；一第一浮置栅极，位于该基板上方，其中该第一浮置栅极电性耦接该第一掺杂区；一第二浮置栅极，位于该基板上方，其中该第二浮置栅极电性耦接该第二掺杂区；以及一字符栅极，位于该基板的上方与该第一与该第二掺杂区之间，其中该字符栅极包含延伸至该第一浮置栅极上方的一第一部件与延伸至该第二浮置栅极上方的一第二部件。