[发明专利]N-沟道可多次编程存储器器件有效
| 申请号： | 201310384724.6 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103680609B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | Y·何;X·卢;A·伯格蒙特 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种N‑沟道可多次编程存储器器件，具有：N‑导电类型衬底；第一和第二P‑导电类型阱，位于所述N‑导电类型衬底中；N‑导电类型源极和漏极区域，形成在第一P‑导电类型阱中，所述源极和漏极区域由沟道区沟道区域间隔开；氧化物层，位于所述N‑导电类型衬底之上；以及浮置栅极，在所述沟道区域之上且在所述N‑导电类型衬底中的第二P‑导电类型阱之上延伸，所述可多次编程存储器单元能够通过热电子注入来进行编程并且能够通过热空穴注入来进行擦除。 | ||
| 搜索关键词： | 导电类型 衬底 导电类型阱 多次编程 存储器器件 沟道区域 漏极区域 沟道 源极 存储器单元 浮置栅极 氧化物层 沟道区 热电子 热空穴 擦除 编程 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种可多次编程存储器单元，包括：N‑导电类型衬底；第一P‑导电类型阱和第二P‑导电类型阱，位于所述N‑导电类型衬底中；N‑导电类型的源极区域和漏极区域，形成在所述第一P‑导电类型阱中，所述源极区域和所述漏极区域由沟道区域间隔开；氧化物层，位于所述N‑导电类型衬底之上；以及浮置栅极，在所述沟道区域之上且在所述N‑导电类型衬底中的所述第二P‑导电类型阱之上延伸；所述可多次编程存储器单元能够通过热电子注入来进行编程并且能够通过热空穴注入来进行擦除。
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