[发明专利]包括用于电极的支撑件的半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310384950.4 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103681676A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 尹准皓;闵庚珍;朴宰弘;张用玧;韩济愚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8239;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了包括用于电极的支撑件的半导体器件。每个半导体器件可以包括多个电极。此外，每个半导体器件可以包括与多个电极的侧壁连接的支撑图案。还提供了形成相关半导体器件的方法。例如，所述方法可以包括在形成多个电极之前形成支撑图案。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 用于 电极 支撑 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；多个电容器，其包括：在所述衬底上的各自独立的多个下电极；在所述多个下电极的表面上的电介质膜；以及在所述电介质膜上的上电极；第一支撑图案，其连接到所述多个下电极各自的下部侧壁，并且包括第一开口；以及第二支撑图案，其连接到所述多个下电极各自的上部侧壁，并且包括第二开口，其中，所述第一支撑图案与所述第二支撑图案之间的第一距离比所述第一支撑图案与所述多个下电极各自的和所述衬底相邻的底部之间的第二距离更长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310384950.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
