[发明专利]层叠封装接合结构在审
申请号: | 201310385077.0 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN103915413A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 林俊成;洪瑞斌;蔡柏豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了用于在管芯封装件中形成具有多个导电层和/或凹槽的封装通孔(TPV)和利用TPV形成具有接合结构的层叠封装(PoP)器件的机制的不同实施例。将多个导电层中的一层用作TPV的主导电层的保护层。当暴露于焊料时,保护层不容易氧化并具有金属间化合物(IMC)的较低的形成速率。用其他管芯封装件的焊料填充管芯封装件的TPV中的凹槽并且形成的IMC层在TPV的表面下方以加强接合结构。本发明提供了叠层封装接合结构。 | ||
搜索关键词: | 层叠 封装 接合 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体管芯封装件,包括:半导体管芯;模塑料,至少部分地封装所述半导体管芯;封装通孔(TPV),形成在所述模塑料中,所述TPV设置为邻近所述半导体管芯,所述TPV包括第一导电层和第二导电层,并且所述第一导电层填充所述TPV的第一部分而所述第二导电层填充所述TPV的第二部分;以及重分布结构,所述重分布结构包括重分布层(RDL),所述TPV和所述半导体管芯电连接至所述RDL,并且所述RDL能够实现所述半导体管芯的扇出。
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