[发明专利]沟槽功率器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种沟槽功率器件及其制作方法，其中，所述制作方法包括：提供包括有源区和保护环区的半导体衬底；形成栅极结构；形成层间介质层，并在其上形成与所述沟槽功率器件的源级位置对应的第一通孔以及与保护环的位置对应的第二通孔；第一次离子注入形成阱区与保护环；依次沉积硼磷硅玻璃材料与隔离材料，在第一通孔上形成侧墙同时封闭第二通孔；进行第二次离子注入形成源区；刻蚀并填充第一通孔。本发明在沉积硼磷硅玻璃材料之后沉积一层隔离材料，再对硼磷硅玻璃材料进行回流，可以升高回流温度或增加回流时间，提高保护环区第二通孔的填充效果，从而防止后续的离子注入对第二通孔造成影响，提高沟槽功率器件的性能。

主权项

一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和保护环区；在所述半导体衬底的有源区形成沟槽，在所述沟槽中形成沟槽功率器件的栅极；在所述半导体衬底上形成层间介质层，并通过刻蚀在所述层间介质层上形成第一通孔与第二通孔，所述第一通孔与所述沟槽功率器件的源区位置对应，所述第二通孔与保护环的位置对应；对所述第一通孔和第二通孔进行第一次离子注入，在所述第一通孔暴露出的半导体衬底中形成阱区，在所述第二通孔暴露出的半导体衬底中形成保护环；在所述层间介质层上沉积硼磷硅玻璃材料，在所述硼磷硅玻璃材料上沉积一层隔离材料，通过刻蚀在所述第一通孔上形成侧墙，并对所述硼磷硅玻璃材料进行回流，封闭所述第二通孔；进行第二次离子注入在所述第一通孔下方的阱区内形成源区，并进行退火；对所述第一通孔暴露出的半导体衬底进行刻蚀，填充金属形成沟槽功率器件的接触孔。