[发明专利]用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法及MEMS AMR接触孔制造方法无效
| 申请号： | 201310386331.9 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103435003A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张振兴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法以及MEMS AMR接触孔制造方法。所述用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法包括：利用物理气相沉积设备执行物理气相沉积以形成氮化钽层；利用光阻掩膜对所述氮化钽层执行软刻蚀，以便形成接触孔；在形成接触孔之后去除光阻掩膜，其中在所述氮化钽层上残留聚合物残留物；在去除光阻掩膜之后对所述氮化钽层执行软溅射刻蚀，以便去除所述氮化钽层上少量的聚合物残留物以及所述氮化钽层的表层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mems amr 接触 刻蚀 方法 制造 | ||
【主权项】：
一种用于MEMSAMR的接触孔刻蚀方法，其特征在于包括：第一步骤：利用物理气相沉积设备执行物理气相沉积以形成氮化钽层；第二步骤：利用光阻掩膜对所述氮化钽层执行软刻蚀，以便形成接触孔；第三步骤：在形成接触孔之后去除光阻掩膜，其中在所述氮化钽层上残留聚合物残留物；第四步骤：在去除光阻掩膜之后对所述氮化钽层执行软溅射刻蚀，以便去除所述氮化钽层上少量的聚合物残留物以及所述氮化钽层的表层。
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