[发明专利]一种LED芯片电极的制作方法、LED芯片及LED

摘要

本发明提供一种焊线成本低，焊点可靠的LED芯片电极的制作方法，包括在制作好的LED外延片的部分区域上刻蚀P型半导体层、发光层至负N型半导体层，蚀刻显露的N型半导体层形成N型电极区，未被蚀刻的P型半导体区域形成P型电极区；1）在所述P型电极区上需要制作电极的区域镀上于P型半导体层非奥姆接触的第一电极接触层；2）在所述电极接触层上镀上电流阻挡层；3）在P型电极区上，未被上述电极接触层和电流阻挡层覆盖的区域镀上电流扩散层；4）在电流阻挡层上镀上与电流扩散层欧姆接触的金属第二电极接触层；5）在所述第二电极接触层上镀上第三电极接触层；6）在第三电极接触层上采用化学方法镀上材料为金的电极焊线层。

主权项

一种LED芯片电极的制造方法，包括在衬底上依次生长出N型半导体层，发光层和P型半导体层；在所述P型半导体层上刻蚀部分区域，去除该区域的P型半导体层、发光层至显露负N型半导体层；显露的N型半导体层形成N型电极区，用于制作N型电极，未被蚀刻的P型半导体层形成P型电极区，用于制作P型电极，其特征在于所述P型电极的制作方法包括以下步骤：1）在所述P型电极区上需要制作P型电极的区域镀上与P型半导体层非奥姆接触的第一电极接触层；2）在所述第一电极接触层上镀上电流阻挡层；3）在所述P型电极区上，未被上述第一电极接触层和电流阻挡层覆盖的区域镀上电流扩散层；4）在所述电流阻挡层上镀上与电流扩散层欧姆接触的第二电极接触层；5）在所述第二电极接触层上镀上第三电极接触层；6）在所述第三电极接触层上采用化学方法镀上材料为金的电极焊线层。