[发明专利]一种芯片集成单元的制备方法有效
申请号: | 201310389285.8 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN103433450A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 翟彦博;郑应彬;马永昌;马秀腾;刘军 | 申请(专利权)人: | 西南大学 |
主分类号: | B22D13/00 | 分类号: | B22D13/00;B22D27/02;H01L21/48 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 400715*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 一种芯片集成单元的制备方法,包括:1.采用搅拌法制备复合材料浆料并将其加热;2.将型芯摆放在铸型内,和铸型一起预热后安装在离心铸造机上;3.开启离心铸造机并进行浇注,浇注完毕后,开启电磁场发生器,进行毛坯成形,成形完毕后,关闭离心铸造机与电磁场发生器,取出铸件并切割,形成电子封装零件毛坯;4.将单个零件毛坯切开并去除芯型,然后进行机械加工获得电子封装零件;5.将电子芯片装入封装零件,同时将数据线从引线孔引出,然后将两个矩形电子封装零件装配在一起形成芯片集成单元。使用本方法制得的增强颗粒无颗粒团出现,颗料分布均匀,无夹渣气孔。从而制得的芯片集成单元具有导热性良好、密度低、热稳定性高等特点。 | ||
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【主权项】:
一种芯片集成单元的制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤:步骤1,采用搅拌法制备复合材料浆料并将复合材料浆料加热;步骤2,将型芯摆放在铸型内,并和铸型一起预热后安装在离心铸造机上;步骤3,开启离心铸造机并进行浇注,浇注完毕后,开启电磁场发生器产生电磁场,进行毛坯成形,成形完毕后,关闭离心铸造机与电磁场发生器,取出铸件并切割,形成电子封装零件毛坯;步骤4,将单个零件毛坯切开并去除芯型,然后进行机械加工获得两个具有引线孔的矩形电子封装零件;步骤5,将电子芯片装入封装零件,同时将数据线从引线孔引出,然后将两个矩形电子封装零件装配在一起形成芯片集成单元。
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