[发明专利]一种GTR-KTP晶体的制备方法

摘要

本发明涉及一种GTR-KTP晶体的制备方法，先制备KH2PO4晶体料，然后在超环境下分段加热形成均匀稳定的高温溶液，采用顶端与提拉相结合的方法生长的GTR-KTP晶体，本发明制备的KTP晶体，降低了KTP晶体的吸收系数，能有效的抵抗灰迹产生，使KTP晶体的倍频转换效率得到显著增强。在测试的1000秒时间内，是用100mw、532nm绿光照射GTR-KTP晶体，系统吸收基本保持稳定，显示了其良好的抗灰迹效果。

主权项

一种GTR‑KTP晶体的制备方法，其特征是，包括步骤如下：（1）将KH2PO4用蒸馏水溶解，用超细膜过滤装置过滤，通过低温溶液法生长出高纯KH2PO4晶体料；（2）将步骤（1）得的KH2PO4材料与K2CO3、TiO2按质量比8:1:1的比例混合后，搅拌均匀放入铂金坩埚中，炉体内无杂质气氛升温到1000℃将原料熔化反应，反应时间18～24h，升温至1100℃烧料24～36hh，然后恒温1100℃搅拌36～48h，形成均匀稳定的高温溶液；（3）采用顶端与提拉相结合的方法生长的GTR‑KTP晶体：将高温溶液晶体在转动、提拉中降温，起始温度910±20℃，分前期和后期，前期的降温速度、提拉速率均小于后期的，整个生长周期降温200±20℃，周期长70‑90天，晶体转动速率40～50rpm。