[发明专利]一种单粒子效应试验芯片的开孔方法在审
| 申请号： | 201310389464.1 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104425238A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李志刚;卢狄克;欧毅;欧文;刘刚;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种单粒子效应试验芯片的开孔方法，包括步骤：将芯片的封装壳开封，以暴露芯片的基底；利用胶带在芯片的基底上形成掩膜层；进行气相刻蚀；去除掩膜层。利用胶带在基底上形成掩膜层，从而进行刻蚀，以去除基底对器件区域的覆盖，避免模拟源的辐照的衰减，提高试验的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 效应 试验 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种单粒子效应试验芯片的开孔方法，其特征在于，包括步骤：将芯片的封装壳开封，以暴露芯片的基底；利用胶带在芯片的基底上形成掩膜层；进行气相刻蚀，以去除掉预定深度的基底；去除掩膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310389464.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种自然氧化层的去除方法
- 下一篇：基片刻蚀方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
