[发明专利]一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201310390421.5 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103451609A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王浩静;李涛涛;王红飞;刘欢;杨利青;胡炜杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/58;B82Y40/00;G01N27/12 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多孔氧化物半导体纳米薄膜的制备方法。其技术方案是，使用共溅射技术，采用氧化物半导体靶材（或相应金属靶材）和造孔剂靶材，在Ar或者Ar、O2混合气氛下，在基底表面同时或者交替沉积薄膜，预制成具有氧化物／造孔剂两种物相的复合纳米薄膜。预制的复合薄膜在经过水洗后，造孔剂被溶解，得到多孔的纳米薄膜。最后将薄膜烘干，进行退火处理，能得到结晶性好、高取向、高孔隙度的纳米薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 氧化物 半导体 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔氧化物半导体纳米薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 1】采用两种不同成分的靶材，其中一种靶材的成分为具有半导体特性的金属氧化物，或与该金属氧化物对应的金属；另一种靶材的成分为可溶于水的盐类。将此两种靶材通过共溅射法在基底表面同时或交替沉积薄膜，预制成具有氧化物/可溶盐两种晶相的复合纳米薄膜。 2】对步骤1】所得到的复合纳米薄膜进行水洗，使可溶盐溶解，得到多孔纳米薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院西安光学精密机械研究所，未经中国科学院西安光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310390421.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
