[发明专利]RC振荡器有效

专利信息
申请号: 201310390561.2 申请日: 2013-08-30
公开(公告)号: CN103475337A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 王建军;朱家训;朱定飞;邓廷;梅月;谭岳德;向铭 申请(专利权)人: 珠海中慧微电子有限公司
主分类号: H03K3/011 分类号: H03K3/011
代理公司: 广东秉德律师事务所 44291 代理人: 杨焕军;朱鹏
地址: 519085 广东省珠*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种RC振荡器,包括工作电压、基准电路模块、第一P沟道MOS管、第三P沟道MOS管、第四P沟道MOS管、振荡核心逻辑电路、第一放电开关、第二放电开关、第一时序电容和第二时序电容;其特征在于,在第一放电开关的第二端、第二放电开关的第二端分别设置由N沟道MOS管、退化电阻构成的源极退化电流源。本发明利用源极退化电流源的输出阻抗随温度和电流的变化特性来使时序电容上的残留电荷量能够抵消温度、工作电源电压变化引起的时钟频率变化;从而实现提供一种低温漂的RC振荡器。
搜索关键词: rc 振荡器
【主权项】:
一种RC振荡器,包括工作电压、基准电路模块、第一P沟道MOS管、第三P沟道MOS管、第四P沟道MOS管、振荡核心逻辑电路、第一放电开关、第二放电开关、第一时序电容和第二时序电容;基准电路模块设有基准电压输出端和电路输出端;振荡核心逻辑电路设有第一比较输入端、第二比较输入端、基准电压输入端、第一控制信号输出端、第二控制信号输出端和时钟信号输出端;电路输出端连接第一P沟道MOS管的漏端,第一P沟道MOS管的源极连接工作电源,第一P沟道MOS管的栅极和漏极相连;第三P沟道MOS管的源极、第四P沟道MOS管的源极均连接工作电源,第三P沟道MOS管的栅极、第四P沟道MOS管的栅极均连接第一P沟道MOS管的栅极,第三P沟道MOS管的漏极、第一比较输入端、第一放电开关的第一端均连接第一时序电容的正端,第一时序电容的负端接地;第四P沟道MOS管的漏极、第二比较输入端、第二放电开关的第一端连接第二时序电容的正端,第二时序电容的负端接地;第一控制信号输出端、第二控制信号输出端分别对应控制连接第一放电开关、第二放电开关;其特征在于,还包括第二P沟道MOS管、压降模块、第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第三N沟道MOS管、电阻Rs1、退化电阻Rs2和退化电阻Rs3;第二P沟道MOS管的源极连接工作电源,第二P沟道MOS管的栅极连接第一P沟道MOS管的栅极,第二P沟道MOS管的漏极通过压降模块连接第一N沟道MOS管的漏极,第一N沟道MOS管的源极通过电阻Rs1接地,第一N沟道MOS管的栅极和漏极连接;第二N沟道MOS管的栅极、第三N沟道MOS管的栅极均连接第一N沟道MOS管的栅极,第二N沟道MOS管的源极通过退化电阻Rs2接地,第二N沟道MOS管的漏极连接第一放电开关的第二端,第三N沟道MOS管的源极通过退化电阻Rs3接地,第三N沟道MOS管的漏极连接第二放电开关的第二端。
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