[发明专利]一种串行接口NAND闪存单元在审
| 申请号： | 201310390630.X | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104424992A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;刘会娟 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种串行接口NAND闪存单元，包含NAND存储阵列，并行接口缓存、缓存控制器，还包括串口NAND闪存输入输出模块，包含高速串行接口，所述高速串行接口用于对数据进行解码输入和译码输出，所述串口NAND闪存输入输出模块与所述输入输出控制模块、所述缓存控制器和所述并行接口缓存互联。本发明通过在串行接口NAND闪存单元中使用包含高速串行接口的串口NAND闪存输入输出模块，能够提高串行接口NAND闪存单元的传输速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 串行 接口 nand 闪存 单元 | ||
【主权项】：
一种串行接口NAND闪存单元，包含NAND存储阵列、并行接口缓存和缓存控制器，其特征在于，还包括：串口NAND闪存输入输出模块，包含高速串行接口，所述高速串行接口用于对数据进行解码输入和译码输出，所述串口NAND闪存输入输出模块与所述缓存控制器和所述并行接口缓存互联。
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