[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的一个方式是提供一种不降低开口率且具有增大了电荷容量的电容元件的半导体装置。半导体装置包括：包括具有透光性的半导体膜的晶体管；在一对电极之间设置有介电膜的电容元件；以及电连接于晶体管的像素电极，其中在电容元件中，与晶体管的具有透光性的半导体膜形成在同一表面上的具有导电性的膜用作一个电极，像素电极用作另一个电极，设置在具有透光性的半导体膜与像素电极之间的氮化绝缘膜及第二氧化绝缘膜用作介电体。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底；所述衬底上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜；所述第三绝缘膜上的透光像素电极；晶体管，包括：栅电极；所述栅电极上的所述第一绝缘膜；以及所述第一绝缘膜上的重叠于所述栅电极的半导体膜，该半导体膜电连接于所述像素电极；电容元件，包括：所述第一绝缘膜上的用作第一电容电极的能够导电的透光膜；所述第一电容电极上的用作电容介电膜的所述第二绝缘膜的一部分及所述第三绝缘膜的一部分；以及所述电容介电膜上的用作第二电容电极的所述像素电极，其中，所述第二绝缘膜及所述第三绝缘膜覆盖所述半导体膜。