[发明专利]CMP研磨速率的精确量测方法在审
| 申请号： | 201310391169.X | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104416461A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 范怡平 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B49/00 | 分类号： | B24B49/00 |
| 代理公司： | 江苏英特东华律师事务所 32229 | 代理人： | 邵鋆 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种CMP研磨速率的精确量测方法，涉及半导体生产，尤其是晶圆的CMP方法，是基于在线晶圆产品的多点测机方法，通过在晶圆表面设定量测极点作为APC系统的研磨速率量测点，其特征在于，所述的量测极点是等距离布置在穿过晶圆表面中心的任意直线上的多个点，其中包括一个中心点。本发明可使OxideCMP在线测机的研磨速率量测准确度大大提升，真实地反映OxideCMP的RR正常的升高、降低，从而提升APC自动下研磨时间的准确度，减少产品最终膜厚的不稳定影响，极大地改善在线产品的量测良品率、减少返工率、增加机台的有效时间；还能兼顾到通过测机来查看片内的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 研磨 速率 精确 方法 | ||
【主权项】：
一种CMP研磨速率的精确量测方法，是基于在线晶圆产品的多点测机方法，通过在晶圆表面设定量测极点作为APC系统的研磨速率量测点，其特征在于，所述的量测极点是等距离布置在穿过晶圆表面中心的任意直线上的多个点，其中包括一个中心点。
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