[发明专利]金属硅化物阻挡层的表面处理方法无效
| 申请号： | 201310391724.9 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103451620A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 顾梅梅;张景春;陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/42 | 分类号： | C23C16/42;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属硅化物阻挡层的表面处理方法，应用于自对准硅化物工艺中，其特征在于，所述方法包括提供一衬底；于所述衬底的上表面制备一金属硅化物阻挡层；对所述金属硅化物阻挡层进行等离子体工艺，以去除所述金属硅化物阻挡层中的氢；旋涂光刻胶覆盖所述金属硅化物阻挡层的上表面；继续后续的自对准硅化物工艺步骤。通过本发明方法能够使得在对该金属硅化物阻挡层上涂布光刻胶之后，减少了出现球形缺陷的可能，提高了工艺制程的稳定性，改善了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 阻挡 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种金属硅化物阻挡层的表面处理方法，应用于自对准工艺中，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；于所述衬底的上表面制备一金属硅化物阻挡层；对所述金属硅化物阻挡层进行等离子体工艺，以去除所述金属硅化物阻挡层中的杂质；旋涂光刻胶覆盖所述金属硅化物阻挡层的上表面；继续后续的自对准硅化物工艺步骤。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
