[发明专利]一种加速度传感器芯片生产校验补偿方法有效

专利信息
申请号: 201310391921.0 申请日: 2013-08-21
公开(公告)号: CN103454453A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 徐君燕;卜建荣;李时辉;姜磊 申请(专利权)人: 浙江工业职业技术学院
主分类号: G01P21/00 分类号: G01P21/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 312000 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种加速度传感器芯片生产校验补偿方法,加速度传感器芯片生产校验补偿方法旨在用于加速度传感器芯片批量生产测试,加速度传感器芯片生产校验补偿方法是用校准过的成品加速度传感器芯片做参考,成品加速度传感器芯片和待测成品矩阵排列放在特定旋转转台以特定的状态运行环境下,通过采样对加速度传感器芯片的ADC输出,并与参考加速度传感器芯片的输出作对比和运算,将要校准的参数写入待测加速度传感器芯片内的存储区,再读取加速度传感器芯片的ADC输出,再对比判断该待测成品是否校准成功,如果校准不成功,则当该颗待测成品为失效电路。测试设备根据该方法一次能够并行测试多颗电路。
搜索关键词: 一种 加速度 传感器 芯片 生产 校验 补偿 方法
【主权项】:
一种加速度传感器芯片生产校验补偿方法,其特征在于,包括如下步骤:11)将校准过的成品加速度传感器芯片和待测加速度传感器芯片组排列放置在测试旋转转台上;12)将待测加速度传感器芯片组静态放置,分别读取加速度传感器芯片的ADC输出:所述加速度传感器芯片的ADC输出为M=K1(N+K2*A)+K3*B    (a)所述M为加速度传感器芯片的标准输出,其中A,B两个参数补偿系数,为工艺和设计上的固定值,N为测试旋转转台上的加速度的实际输出,K1,K2,K3为这个校正补偿的三个补偿值;设K1=1,K2=0,得到M=N+K3*B:13)测得步骤12)中的M数值,得到K3的补偿值:把得到的K3的补偿值分别写入到加速度传感器芯片组补偿参数存储区,上电重新运行加速度传感器芯片;通过K3校准测试后,此时加速度传感器芯片的ADC的输出可表示M=K1*N    (b)14)把经过步骤13)的K3校准测试后的待测加速度传感器芯片组平台放在旋转转台水平绕转台轴旋转,这时由旋转转台产生一定的角速度,此时分别读取待测加速度芯片传感器的ADC输出M和测试旋转转台上的加速度的实际输出N,根据公式c计算出校准的值并写入待测加速度芯片传感器的中的K1f补偿参数存储区中,K1f=50*K1=50*M/N    (c)所述K1f为K1放大了50倍:上电重新运行,然后再在该加速度下重新读取ADC的输出,判断校准是否正确, 如果校准不正确,则认为该颗MEMS电路失效:假设校准正确,则进入步骤15)经过K1校验后,此时加速度传感器芯片的ADC的输出可表示M=N+K2    (d)15)如果经过K1校验过的曲线没有经过原点,需要微调,使其校检过的曲线经过原点,把K1校准测试后测试加速度传感器芯片组平台静止放置,根据公式d,K2=M‑N,把这K2写入待测加速度芯片传感器芯片中的K2补偿参数存储区中,上电重新运行,然后再在这个加速度下去读取ADC的输出,看看校准是否正确,如果不正确则认为该颗加速度传感器芯片失效。16)调整加速度传感器芯片的放置位置,重复步骤11)~步骤15),对加速度传感器芯片的另两个轴进行校检。
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