[发明专利]反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供N型硅衬底；通过光刻和离子注入向衬底内注入P型离子，在衬底的表面形成背面PN交隔结构；在衬底形成有背面PN交隔结构的表面通过外延工艺制备出N型的场截止层；在场截止层上外延制备出N型的漂移区；采用IGBT正面工艺制备出IGBT正面结构；将衬底减薄至背面PN交隔结构处；在背面PN交隔结构背离场截止层的表面形成背面金属电极。本发明于正面工艺之前直接在衬底上采用常规光刻机和离子注入设备制作背面PN交隔结构。FS层和漂移区用外延方式制备，外延后圆片厚度与常规流通圆片相同，再进行常规的正面工艺，因此与现有的常规工艺兼容，无需专用薄片流通设备，降低了成本。

主权项

一种反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括下列步骤：提供第一掺杂类型的硅衬底；通过光刻和离子注入向所述硅衬底内注入第二掺杂类型的离子，在所述硅衬底的表面形成背面PN交隔结构，并清理硅衬底的表面完成去胶，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型的电性相反；在硅衬底形成有所述背面PN交隔结构的表面通过外延工艺制备出N型的场截止层；在所述场截止层上外延制备出N型的漂移区；包括所述第一掺杂类型的硅衬底、PN交隔结构、场截止层及漂移区的硅片总厚度与常规流通硅片的厚度一致；采用绝缘栅双极型晶体管正面工艺在所述漂移区内和漂移区上制备出绝缘栅双极型晶体管正面结构；将所述硅衬底减薄至所述背面PN交隔结构处；在所述背面PN交隔结构背离所述场截止层的表面形成背面金属电极。