[发明专利]改善金属硅化物掩模层缺陷的方法

摘要

本发明涉及改进金属硅化物研磨层技术领域，尤其涉及一种改善金属硅化物掩模层缺陷的方法。本发明公开了一种改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，通过在制备金属硅化物掩模层后，于该金属硅化物掩模层上覆盖一层氧化薄膜，以作为其保护层，在后续的光刻工艺中，以隔绝金属硅化物掩模层与光刻胶接触，进而有效避免因金属硅化物掩模层与光刻胶反应形成缺陷，提高产品性能和产品的良率。

主权项

一种改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，应用于半导体衬底的光刻工艺中，所述半导体衬底包括硅基底、位于该硅基底表面上的栅极结构和一刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述栅极结构的表面和所述硅基底暴露的表面上，其特征在于，所述方法包括以下步骤：于所述刻蚀阻挡层的表面制备一金属硅化物掩模层；制备氧化物层覆盖所述金属硅化物掩模层的表面；涂覆光刻胶覆盖所述氧化物层表面，曝光、显影后，去除多余光刻胶，于所述氧化层上形成光阻图案；以所述光阻图案为掩膜，刻蚀暴露的氧化物层至所述硅基底和所述栅极结构的表面；去除所述光阻图案和剩余的氧化层；制备金属层覆盖剩余的金属硅化物掩模层和暴露的半导体衬底的表面；继续退火工艺。