[发明专利]EUV用防尘薄膜组件有效
| 申请号： | 201310394876.4 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN103676460B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 山田素行;秋山昌次 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,王博 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在减轻入射EUV光的减少的同时，有具有高强度的EUV用防尘薄膜组件。本发明为一种具有用网格形状的结构体加固的EUV透过膜的EUV用防尘薄膜组件，其特征在于∶所述网格形状的结构体的纵截面形状（高度方向截面形状）为越远离EUV透过膜，前端越细的形状。 | ||
| 搜索关键词： | euv 防尘 薄膜 组件 | ||
【主权项】：
一种EUV用防尘薄膜组件，具有用网格形状的结构体加固的EUV透过膜，其特征在于∶所述网格形状的结构体的纵截面形状，为越远离EUV透过膜，其前端越细的形状，所述前端细的形状的倾斜角的角度为2°以上8°以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社，未经信越化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310394876.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超小核壳结构纳米颗粒及其制备方法
- 下一篇：一种片式ESD静电抑制器
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
